氮氣柜在保護晶圓Wafer方面具有重要作用,以下是其深度解析:
提供惰性氣氛
防止氧化:氮氣是一種惰性氣體,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,不易與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。在氮氣柜中,高純度的氮氣(通常要求達到99.99%以上)能夠有效隔絕晶圓與外界空氣的接觸,減少晶圓表面的氧化。
減少化學(xué)反應(yīng):氮氣柜內(nèi)充滿純凈的氮氣,減少了氧氣和其他有害氣體的存在,從而防止晶圓與其他材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),保護晶圓的完整性。
控制濕度
低濕度環(huán)境:氮氣柜內(nèi)的濕度通常能夠控制在10%RH以下,甚至可以達到1%RH以下。低濕度環(huán)境能夠有效降低晶圓表面的水分含量,防止水分對晶圓的氧化和腐蝕,保持晶圓的穩(wěn)定性和可靠性。
防止?jié)衩粼В?/strong>對于濕敏元件,低濕度環(huán)境可以避免其吸濕后性能下降,甚至失效。
保持潔凈環(huán)境
無塵環(huán)境:氮氣柜能夠提供一個無塵的環(huán)境,防止空氣中的微粒和污染物對晶圓造成污染。這對于保證晶圓的純凈度和質(zhì)量至關(guān)重要。
高效過濾:潔凈氮氣柜通常配備高效過濾器(如HEPA過濾系統(tǒng)),以確保柜內(nèi)空氣的潔凈度達到ISO Class 5或更高。
防靜電措施
防靜電保護:晶圓芯片對靜電敏感,氮氣柜采取了一系列防靜電措施,如設(shè)立靜電地板、接地裝置和靜電屏蔽等。這些措施可以有效防止靜電對晶圓芯片造成損害。
提高存儲壽命
延長使用壽命:在低氧、低濕度、低污染的環(huán)境下,晶圓的氧化和腐蝕速度會減緩,從而延長其使用壽命。
減少壓電效應(yīng):高濃度的氮氣可以減少壓電效應(yīng)的發(fā)生,從而穩(wěn)定芯片的性能。
穩(wěn)定存儲環(huán)境
溫度控制:雖然部分氮氣柜不直接調(diào)節(jié)溫度,但環(huán)境溫度應(yīng)保持在22±2℃,相對濕度40%-60%,以確保晶圓品質(zhì)。
均勻供氣:氮氣柜通過多點供氣系統(tǒng),確保柜內(nèi)氮氣分布均勻,避免死點死角。
智能化與節(jié)能環(huán)保
智能控制系統(tǒng):配備微電腦智能控制系統(tǒng),可設(shè)定濕度、自動切斷氮氣供應(yīng),節(jié)約氮氣。
節(jié)能環(huán)保:氮氣消耗量降低40%,新型分子篩材料的使用壽命延長至5年以上。
定制化與安全性
定制化服務(wù):根據(jù)存儲物品的尺寸和數(shù)量,選擇可定制隔板設(shè)計和尺寸的氮氣柜。
安全功能:具備氮氣泄漏報警、超壓保護、緊急停機等功能。
通過以上措施,氮氣柜能夠有效地保護晶圓免受氧化、潮氣、污染和靜電等不利因素的影響,從而確保晶圓的質(zhì)量和可靠性。
產(chǎn)品容積 | 內(nèi)徑尺寸(MM) | 外形尺寸(MM) | 隔板數(shù)量 | 開門方式 |
98升 | W446*D372*H598 | W448*D400*H688 | 1 | 單開門 |
160升 | W446*D422*H848 | W448*D450*H1010 | 3 | 單開門 |
240升 | W596*D372*H1148 | W598*D400*H1310 | 3 | 上下雙開門 |
320升 | W898*D422*H848 | W900*D450*H1010 | 3 | 左右雙開門 |
435升 | W898*D572*H848 | W900*D600*H1010 | 3 | 左右雙開門 |
540升 | W596*D682*H1298 | W598*D710*H1465 | 3 | 上下雙開門 |
718升 | W596*D682*H1723 | W598*D710*H1910 | 5 | 上中下三開門 |
870升 | W898*D572*H1698 | W900*D600*H1890 | 5 | 四開門 |
1436升 | W1198*D682*H1723 | W1200*D710*H1910 | 5 | 四開門 / 六開門 |
濕度范圍 | 1% - 60% RH 可調(diào)節(jié) | 顯示精度 | 溫度:±1℃ 濕度:±3%RH | |
進氣壓力 | 0.2 - 0.4 MPa | 節(jié)氮模組 | 多點供氣系統(tǒng),SMC節(jié)氮模組 |