氮氣柜在保護晶圓Wafer方面具有重要作用,以下是其深度解析:

提供惰性氣氛

防止氧化:氮氣是一種惰性氣體,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,不易與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。在氮氣柜中,高純度的氮氣(通常要求達到99.99%以上)能夠有效隔絕晶圓與外界空氣的接觸,減少晶圓表面的氧化。

減少化學(xué)反應(yīng):氮氣柜內(nèi)充滿純凈的氮氣,減少了氧氣和其他有害氣體的存在,從而防止晶圓與其他材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),保護晶圓的完整性。

控制濕度

低濕度環(huán)境:氮氣柜內(nèi)的濕度通常能夠控制在10%RH以下,甚至可以達到1%RH以下。低濕度環(huán)境能夠有效降低晶圓表面的水分含量,防止水分對晶圓的氧化和腐蝕,保持晶圓的穩(wěn)定性和可靠性。

防止?jié)衩粼В?/strong>對于濕敏元件,低濕度環(huán)境可以避免其吸濕后性能下降,甚至失效。

保持潔凈環(huán)境

無塵環(huán)境:氮氣柜能夠提供一個無塵的環(huán)境,防止空氣中的微粒和污染物對晶圓造成污染。這對于保證晶圓的純凈度和質(zhì)量至關(guān)重要。

高效過濾:潔凈氮氣柜通常配備高效過濾器(如HEPA過濾系統(tǒng)),以確保柜內(nèi)空氣的潔凈度達到ISO Class 5或更高。

防靜電措施

防靜電保護:晶圓芯片對靜電敏感,氮氣柜采取了一系列防靜電措施,如設(shè)立靜電地板、接地裝置和靜電屏蔽等。這些措施可以有效防止靜電對晶圓芯片造成損害。

提高存儲壽命

延長使用壽命:在低氧、低濕度、低污染的環(huán)境下,晶圓的氧化和腐蝕速度會減緩,從而延長其使用壽命。

減少壓電效應(yīng):高濃度的氮氣可以減少壓電效應(yīng)的發(fā)生,從而穩(wěn)定芯片的性能。

穩(wěn)定存儲環(huán)境

溫度控制:雖然部分氮氣柜不直接調(diào)節(jié)溫度,但環(huán)境溫度應(yīng)保持在22±2℃,相對濕度40%-60%,以確保晶圓品質(zhì)。

均勻供氣:氮氣柜通過多點供氣系統(tǒng),確保柜內(nèi)氮氣分布均勻,避免死點死角。

智能化與節(jié)能環(huán)保

智能控制系統(tǒng):配備微電腦智能控制系統(tǒng),可設(shè)定濕度、自動切斷氮氣供應(yīng),節(jié)約氮氣。

節(jié)能環(huán)保:氮氣消耗量降低40%,新型分子篩材料的使用壽命延長至5年以上。

定制化與安全性

定制化服務(wù):根據(jù)存儲物品的尺寸和數(shù)量,選擇可定制隔板設(shè)計和尺寸的氮氣柜。

安全功能:具備氮氣泄漏報警、超壓保護、緊急停機等功能。

通過以上措施,氮氣柜能夠有效地保護晶圓免受氧化、潮氣、污染和靜電等不利因素的影響,從而確保晶圓的質(zhì)量和可靠性。

產(chǎn)品容積 內(nèi)徑尺寸(MM) 外形尺寸(MM) 隔板數(shù)量 開門方式
98升 W446*D372*H598 W448*D400*H688 1 單開門
160升 W446*D422*H848 W448*D450*H1010 3 單開門
240升 W596*D372*H1148 W598*D400*H1310 3 上下雙開門
320升 W898*D422*H848 W900*D450*H1010 3 左右雙開門
435升 W898*D572*H848 W900*D600*H1010 3 左右雙開門
540升 W596*D682*H1298 W598*D710*H1465 3 上下雙開門
718升 W596*D682*H1723 W598*D710*H1910 5 上中下三開門
870升 W898*D572*H1698 W900*D600*H1890 5 四開門
1436升 W1198*D682*H1723 W1200*D710*H1910 5 四開門 / 六開門
濕度范圍 1% - 60% RH 可調(diào)節(jié) 顯示精度 溫度:±1℃ 濕度:±3%RH
進氣壓力 0.2 - 0.4 MPa 節(jié)氮模組 多點供氣系統(tǒng),SMC節(jié)氮模組